[摘要]感應(yīng)加熱電源的發(fā)展是非常的快，這也是因為傳統(tǒng)的加熱方式的缺陷，而感應(yīng)加熱的優(yōu)勢更好能夠彌補傳統(tǒng)的缺陷，所以下面給大家詳細講解一下它的
發(fā)展史。
感應(yīng)加熱電源的發(fā)展是非常的快，這也是因為傳統(tǒng)的加熱方式的缺陷，而感應(yīng)加熱的優(yōu)勢更好能夠彌補傳統(tǒng)的缺陷，所以下面給大家詳細講解一下它的
發(fā)展史。
70至80年代初，人們將現(xiàn)代半導(dǎo)體微集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)進行結(jié)合，相繼開發(fā)出一大批全控電力電子半導(dǎo)體器件 （GTR、MOSFET、SIT、SITH
及MCT等），為全固態(tài)超音頻、高頻電源的研制打下了堅實的基礎(chǔ)。
而在歐美，由于SIT存在高通態(tài)損耗 （SIT工作于非飽和區(qū)）等缺陷，其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化，
MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源的容量得到了飛速發(fā)展。西班牙采用MOSFET的電流型感應(yīng)加熱電源制造水平達600kW、400kHz，德國在1989年研制的電流型
MOSFET感應(yīng)加熱電源水平達480kW、50～200kHz，比利時I nductoEiphiac公司生產(chǎn)的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平可達1000kW、15～600kHz。浙江大
學(xué)在 90年代研制出 20kW、300kHz MOSFET高頻電源，已被成功應(yīng)用于小型刀具的表面熱處理和飛機渦輪葉片的熱應(yīng)力考核。
感應(yīng)加熱電源主要使用中頻段的晶閘管，超音頻頻段的IGBT。 在高頻段，由于SIT存在傳導(dǎo)損耗大的缺陷，目前國際上主要開發(fā)MOSFET電源。 雖然感應(yīng)
加熱電源采用諧振逆變器，有利于功率器件軟開關(guān)的實現(xiàn)，但感應(yīng)加熱電源通常功率較大，對功率器件、無源器件、電纜、布線、 接地和屏蔽。 因此
，實現(xiàn)高頻感應(yīng)加熱電源仍有許多基礎(chǔ)應(yīng)用技術(shù)需要進一步探索。 特別是新型高頻大功率器件（如MCT、IGBT和SIT功率器件）的出現(xiàn)，將進一步推動高頻感應(yīng)加熱電源的發(fā)展。
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